SMDJ75A TVS Diodes Protection Circuit Board PCB Thiết bị thành phần thụ động

SMDJ75A TVS Diodes Protection Circuit Board PCB Thiết bị thành phần thụ động

SMDJ75A TVS Diode DATASHEET:SMDJ_v2107.1.pdf

Mô tả của SMDJ75A TVS Diode:

SMDJ75A TVS Diode được thiết kế đặc biệt để bảo vệ thiết bị điện tử nhạy cảm khỏi các biến động điện áp do sét và các sự kiện điện áp tạm thời khác gây ra.Điện áp ngay lập tức phía trước tối đa ở 25A chỉ cho một chiều là 3.5/5.0 Volt.

Đặc điểm của SMDJ75A TVS Diode:

• SMDJ75A TVS Diode phù hợp với các ứng dụng gắn trên bề mặt để tối ưu hóa không gian bảng
• SMDJ75A TVS Diode có rò rỉ thấp
• SMDJ75A TVS Diode là một đơn vị đơn hướng
• SMDJ75A TVS Diode là kết nối thụ động kính
• SMDJ75A TVS Diode có điện dẫn thấp
• SMDJ75A TVS Diode có khả năng kẹp tuyệt vời
• Khả năng điện cực của SMDJ75A TVS Diode ở dạng sóng 10 × 1000μs Tỷ lệ lặp lại (chu kỳ làm việc):0.01% là 3000W
• Thời gian phản ứng nhanh của SMDJ75A TVS Diode: thông thường dưới 1.0ps từ 0 Volts đến VBR min
• IR điển hình của SMDJ75A TVS Diode ít hơn 5μA trên 12V.
• Đuất nhiệt độ cao: 260°C/40 giây tại các đầu cuối
• Hệ số nhiệt độ tối đa điển hình ΔVBR = 0,1% × VBR@25°C× ΔT
• Bao bì nhựa có Underwriters phòng thí nghiệm dễ cháy 94V-0
• Tin mờ không chứa chì
• SMDJ75A TVS Diode không có Halogen và tuân thủ RoHS
• Chế độ thất bại điển hình là ngắn từ điện áp hoặc dòng quá xác định
• Xét nghiệm râu được thực hiện dựa trên JEDEC JESD201A theo bảng 4a và 4c
• SMDJ75A TVS Diode của IEC-61000-4-2 ESD 15kV ((Air), 8kV (Contact)
• Bảo vệ ESD của đường truyền dữ liệu theo IEC 61000-4-2 (IEC801-2)
• Bảo vệ đường truyền dữ liệu theo EFT theo IEC 61000-4-4 (IEC801-4)