TVS Diode SM8S18CAG, Phân tán điện xung đỉnh 6600W, Bảo vệ thiết bị điện tử nhạy cảm
DATASHEET:SM8SXXG Series_v2309.1.pdf
Mô tả:
| Số phần |
Đỉnh hoạt động Quay lại Điện áp VRWM (V) |
Phân loại Điện áp VBR (V) |
Điện thử Tôi...T (mA) |
Độ rò rỉ ngược tối đa Tôi...R @VRWM (μA) |
Tối đa Tôi...R@VRWMTJ=175°C (μA) |
Tái ngược tối đaTăngHiện tại Tôi...PP(A)① |
Điện áp khóa tối đa VC @Tôi...PP (V) |
||
| Đơn vị | Bi | Mtrong. | Mtrục. | ||||||
| SM8S18AG | SM8S18CAG | 18.0 | 20.0 | 22.1 | 5.0 | 10 | 150 | 226 | 29.2 |
|
Ghi chú: 1.Hình sóng dòng sóng được định nghĩa ở dạng sóng 10/1000μS. 2.Đối với tất cả các loại, tối đa VF= 1,8 V tại IF= 100 A đo trên 8,3 ms sóng sinus nửa đơn hoặc sóng vuông tương đương, chu kỳ làm việc = 4 xung mỗi phút tối đa. |
|||||||||
Đặc điểm:
Chip thủy tinh tối ưu hóa.
TJKhả năng = 175 °C phù hợp với độ tin cậy cao và yêu cầu ô tô.
Khả năng điện xung đỉnh 6600W với hình sóng 10/1000μs, tỷ lệ lặp lại (chu kỳ làm việc): 0,01%.
Phù hợp với ISO7637-2 5a/5b và ISO 16750 load dump test (đối với các điều kiện thử nghiệm khác nhau).
Đáp ứng AEC-Q101.
Điện rò rỉ thấp.
Giảm điện áp phía trước.
Khả năng kẹp tuyệt vời.
Thời gian phản ứng rất nhanh.
Phù hợp với RoHS.
Ứng dụng:
Bảo vệ ô tô.
